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BSC0924NDI现货价格
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产品分类
分立
晶体管
MOSFET
BSC0924NDI
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
BSC0924NDI
产品描述
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A
内部编号
173-BSC0924NDI
生产厂商
infineon technologies
库存信息
产品规格
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#1
数量:2414
1+
¥7.5898
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BSC0924NDI产品详细规格
规格书
通道模式
Enhancement
最大漏源电压
30 V
最大连续漏极电流
17@Q 1|32@Q 2 A
RDS -于
5@10V@Q 1|3.7@10V@Q 2 mOhm
最大门源电压
±20 V
典型导通延迟时间
4.7@Q 1|3.3@Q 2 ns
典型上升时间
3.8@Q 1|2.8@Q 2 ns
典型关闭延迟时间
17@Q 1|15@Q 2 ns
典型下降时间
3@Q 1|2.2@Q 2 ns
工作温度
-55 to 150 °C
工厂包装数量
5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V, 30 V
晶体管极性
N-Channel
封装/外壳
TISON-8
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V, 1.2 V
宽度
5.15 mm
Qg - Gate Charge
10 nC, 12.8 nC
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V, 20 V
下降时间
3 ns, 2.2 ns
安装风格
SMD/SMT
品牌
Infineon Technologies
通道数
2 Channel
配置
2 N-Channel
最高工作温度
+ 150 C
晶体管类型
2 N-Channel
正向跨导 - 闵
32 S, 36 S
Id - Continuous Drain Current
40 A, 40 A
长度
5.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance
3.8 mOhms, 2.8 mOhms
RoHS
RoHS Compliant
系列
BSC0924
身高
1.27 mm
封装
Reel
最低工作温度
- 55 C
Pd - Power Dissipation
2.5 W
上升时间
3.8 ns, 2.8 ns
技术
Si
BSC0924NDI系列产品
BSC0924NDI也可以通过以下分类找到
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
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